雷天宇,孙远洋,任红,张玉,蔡苇,符春林.铁酸铋薄膜的溶胶-凝胶法制备及电性能研究进展[J].表面技术,2014,43(3):129-136,174.
LEI Tian-yu,SUN Yuan-yang,REN Hong,ZHANG Yu,CAI Wei,FU Chun-lin.Research Progress in the Sol-Gel Preparation and Electrical Properties of Bismuth Ferrite Thin Films[J].Surface Technology,2014,43(3):129-136,174
铁酸铋薄膜的溶胶-凝胶法制备及电性能研究进展
Research Progress in the Sol-Gel Preparation and Electrical Properties of Bismuth Ferrite Thin Films
投稿时间:2013-12-16  修订日期:2014-02-28
DOI:
中文关键词:  铁酸铋  薄膜  溶胶-凝胶法  电学性能
英文关键词:bismuth ferrite  thin film  sol-gel method  electrical properties
基金项目:国家自然科 学 基 金 ( 51102288, 51372283 ) ; 重 庆 市 教 委 科 学 技 术 研 究 项 目 ( KJ131402 ) ; 重 庆 科 技 学 院 博 士 教 授 科 研 启 动 基 金( CK2013B08)
作者单位
雷天宇 重庆科技学院 冶金与材料工程学院, 重庆 401331 
孙远洋 重庆科技学院 冶金与材料工程学院, 重庆 401331 
任红 重庆科技学院 冶金与材料工程学院, 重庆 401331 
张玉 重庆科技学院 冶金与材料工程学院, 重庆 401331 
蔡苇 重庆科技学院 冶金与材料工程学院, 重庆 401331 
符春林 重庆科技学院 冶金与材料工程学院, 重庆 401331 
AuthorInstitution
LEI Tian-yu Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China 
SUN Yuan-yang Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China 
REN Hong Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China 
ZHANG Yu Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China 
CAI Wei Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China 
FU Chun-lin Chongqing University of Science and Technology, Chongqing 401331, China 
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中文摘要:
      铁酸铋是唯一一种在室温下存在的单相多铁材料,因其具有较高的铁电居里温度、较大的剩余极化强度、较小的禁带宽度和多铁特性,受到国内外的广泛关注。 溶胶-凝胶法是制备铁酸铋薄膜的一种常见方法。 综述了近年来溶胶-凝胶法制备铁酸铋薄膜的研究进展,详细阐述了制备工艺参数( 前驱液、退火温度、退火气氛、底电极) 与掺杂对铁酸铋薄膜电性能的影响;分析了不同制备工艺导致薄膜电性能出现差异的原因;归纳、总结出了目前溶胶-凝胶法制备铁酸铋薄膜的较佳工艺条件;最后,指出了亟待解决的问题。
英文摘要:
      Bismuth ferrite is the only single-phase multiferroic material at room temperature. BFO materials received extensive attention because of its high ferroelectric Curie temperature, large remnant polarization, narrow band gap and multiferroic property. sol-gel method is a common method for preparation of bismuth ferrite thin film. The research progress in the effects of process parameters ( such as precursor solution, annealing temperature, annealing atmosphere, bottom electrode) and dopants on the electrical properties of bismuth ferrite thin films was reviewed. The reasons that different preparation processes led to distinct electrical properties of BFO thin films were analyzed. The superior preparation conditions of BFO thin films via sol-gel were summarized. Finally, some problems to be solved were put forward.
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