黎德育,夏国锋,郑振,王紫玉,田栋,王晨,翟文杰,李宁.铜在磷酸溶液中的电化学抛光研究[J].表面技术,2013,42(3):1-4,37.
LI De-yu,XIA Guo-feng,ZHENG Zhen,WANG Zi-yu,TIAN Dong,WANG Chen,ZHAI Wen-jie,LI Ning.Research on the Copper Electrochemical Polishing in Phosphoric Acid[J].Surface Technology,2013,42(3):1-4,37
铜在磷酸溶液中的电化学抛光研究
Research on the Copper Electrochemical Polishing in Phosphoric Acid
投稿时间:2012-12-12  修订日期:2013-01-26
DOI:
中文关键词:    磷酸  电化学抛光  粗糙度  电化学阻抗谱
英文关键词:copper  phosphoric acid  electrochemical polishing  roughness  electrochemical impedance spectroscopy
基金项目:国家自然科学基金资助项目(50975058)
作者单位
黎德育 哈尔滨工业大学, 哈尔滨 150001 
夏国锋 哈尔滨工业大学, 哈尔滨 150001 
郑振 哈尔滨工业大学, 哈尔滨 150001 
王紫玉 哈尔滨工业大学, 哈尔滨 150001 
田栋 哈尔滨工业大学, 哈尔滨 150001 
王晨 哈尔滨工业大学, 哈尔滨 150001 
翟文杰 哈尔滨工业大学, 哈尔滨 150001 
李宁 哈尔滨工业大学, 哈尔滨 150001 
AuthorInstitution
LI De-yu Harbin Institute of Technology, Harbin 150001 , China 
XIA Guo-feng Harbin Institute of Technology, Harbin 150001 , China 
ZHENG Zhen Harbin Institute of Technology, Harbin 150001 , China 
WANG Zi-yu Harbin Institute of Technology, Harbin 150001 , China 
TIAN Dong Harbin Institute of Technology, Harbin 150001 , China 
WANG Chen Harbin Institute of Technology, Harbin 150001 , China 
ZHAI Wen-jie Harbin Institute of Technology, Harbin 150001 , China 
LI Ning Harbin Institute of Technology, Harbin 150001 , China 
摘要点击次数:
全文下载次数:
中文摘要:
      通过阳极极化和电化学阻抗谱测试,研究了铜在磷酸溶液中进行电化学抛光的电化学行为。 研究发现:随着磷酸浓度的增加,铜在 0 . 2 ,0 . 4 ,0 . 6 ,0 . 8 V 四个电位下电化学抛光后的粗糙度都呈现先减小、后增大的趋势,在磷酸质量分数为 55% 时达最低值;EIS 图谱拟合的 Rs 值的变化反映了磷酸盐粘膜层电阻和铜表面氧化膜电阻的变化,此外,随着磷酸浓度的增加,EIS 中第一个容抗半圆的弛豫时间延长,铜的溶解反应速度加快。
英文摘要:
      The eletrochemical properties of Cu eletrochemical polishing in phophoric acid solutions has been studied by anodic polarization and electrochemical impedance spectroscopy ( EIS) technique. The roughness of Cu firstly decreased, and then increased with the concentration of H3PO4increased at 0 . 2 V, 0 . 4 V, 0 . 6 V and 0 . 8 V, and reached the minimum roughness value when the H3PO4concentration was 55 % . The Rs value at different potential, fitting results of EIS, suggested the change in the resistance of viscous phosphate and Cu oxide films. With the increase of phosphate concentration, the relaxation time of the first capacitive semicircle extended, and it mean the acceleration in the copper dissolution reaction.
查看全文  查看/发表评论  下载PDF阅读器
关闭

关于我们 | 联系我们 | 投诉建议 | 隐私保护 | 用户协议

您是第23706916位访问者    渝ICP备15012534号-3

版权所有:《表面技术》编辑部 2014 surface-techj.com, All Rights Reserved

邮编:400039 电话:023-68792193传真:023-68792396 Email: bmjs@surface-techj.com

渝公网安备 50010702501715号